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| 作者： | LI Zhi-jian(李志坚) LIU Li-tian(刘理天) MA Yu-tao(马玉涛) |
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| 作者： | CAI Li-ping(蔡丽萍) YI Xin-jian(易新建) LI Yi(李毅) |
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| 作者： | HU Xiong-wei(胡雄伟) WANG Qi-ming(王启明) YANG Qin-qing(杨沁清) LEI Hong-bing(雷红兵) OU Hai-yan(欧海燕) |
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| 作者： | WANG Ji-zheng(王吉政) CHEN Yong-hai(陈涌海) WANG Qi-ming(王启明) YU Jing-zhong(余金中) CHENG Bu-Wen(成步文) LUO Li-ping(罗丽萍) WANG Hong-jie (王红杰) LI Cheng(李成) YANG Qin-qing(杨沁清) |
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| 摘要： | |
| 作者： | TAN Ping-heng (谭平恒) LI Yue-xia(李月霞) LI Cheng-fang(李承芳) LI Guo-hua(李国华) CHENG Wen-chao(程文超) SONG A1-min(宋爱民) WANG Xing-hua(王杏华) |
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| 作者： | HU Guo-xin(胡国新) LIU Shi-an(刘世安) ZHANG Guang-bin(张光斌) LIN Shi-ming(林世鸣) KANG Xue-jun(康学军) GAO Jun-hua (高俊华) CHENG Peng(程澎) |
| 标题： | 金属平面半导体量子阱微腔自发发射 |
| 摘要： | 应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理，讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射，得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命.计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制，平面微腔可以增进自发发射，具有很强单方向性。 |
| 作者： | 赵红东 周革 张以谟 赵红东 张存善 沈光地 |
| 标题： | 经Al2O3与 SiOx钝化的多孔硅及其光致发光特性 |
| 摘要： | 在一定偏压下用AlCl3+C2H5OH+H2O混合液对多孔硅进行了后处理。经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定。通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析，指出在后处理样品表面形成的Al2O3与SiOx结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因。 |
| 作者： | 刘小兵 史向华 熊祖洪 袁帅 廖良生 |
| 标题： | MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究 |
| 摘要： | 利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳 |
| 作者： | 廉鹏 邹德恕 高国 殷涛 陈昌华 徐遵图 陈建新 沈光地 曹青 马骁宇 陈良惠 |
| 标题： | Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应 |
| 摘要： | 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K，另一块样品的淬灭温度接近290K。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了� |
| 作者： | 胡古今 张雷 戴宁 陈良尧 |
| 标题： | 高温Al0.3Gao.22In0.48P/GaAs HBT电流增益的计算分析 |
| 摘要： | 建立了Al0.3Ga0 22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟。随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由eb结 |
| 作者： | 吴杰 夏冠群 束为民 顾伟东 张兴宏 |
| 标题： | 半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应 |
| 摘要： | 设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAs MESFETs器件。研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大� |
| 作者： | 刘汝萍 夏冠群 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 |
| 标题： | 一种新的可编程、可扩展的Hamming神经网络 |
| 摘要： | 提出了一种新的可编程、可扩展Hamming神经网络。它采用电流镜计算待识模式与标准模式的匹配度。然后，通过电流型排序电路进行匹配度的排序操作并输出识别结果。该Hamming神经网络中的标准模式模板是可编程的，以满足不同场合的应用要求。另外，该网络芯片在规模上可以很 |
| 作者： | 林谷 石秉学 |
| 标题： | 有机高亮度黄光发光二极管 |
| 摘要： | 用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件，在19V下器件亮度可达40000cd/m2，外量子效率达3。4％。 |
| 作者： | 黄劲松 谢志元 杨开霞 李传南 侯晶莹 刘式墉 南金 戴国瑞 |
| 标题： | Zn1-xCdxSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器 |
| 摘要： | 研究了Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱Stark效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度，及可能的应用前景。 |
| 作者： | 唐九耀 川上养一 藤田茂夫 |
| 标题： | 增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性 |
| 摘要： | 利用增镀光学薄膜的方法，有效地将原来处于双模工作的1.3μm DFB激光器变为单模工作的激光器。选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用。从而改变了激光器的模式特性。实验表明，增镀光学薄膜技术可望成为改善DFB激光器单模成品率的一种辅助方法。 |
| 作者： | 毕可奎 汪孝杰 朱洪亮 |
| 标题： | 用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率 |
| 摘要： | 提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率，研究了测量的原理和方法。对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释。 |
| 作者： | 王若桢 田强 江德生 |
| 标题： | 158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制 |
| 摘要： | 报道了GaAs声表面波(SAW)固定延迟线的设计方法和SAW器件金属剥离制造新工艺.研制出GaAs SAW延迟线，典型参数为：中心频率158MHz，插入损耗低于55dB，延迟时间1.5μs. |
| 作者： | 李洪芹 夏冠群 |
| 标题： | 超薄基区SiGe HBT电流传输模型 |
| 摘要： | 从玻尔兹曼方程出发，分析了SiGe HBT超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGe HBT电流传输模型。 |
| 作者： | 李垚 孔德义 魏敬和 许居衍 |
| 标题： | 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵 |
| 摘要： | 通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率达157W。 |
| 作者： | 方高瞻 肖建伟 马骁 谭满清 刘宗顺 刘素平 胡长虹 鲁琳 李秀芳 王梅 |
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