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功能电子陶瓷的MOCVD薄膜技术

[摘要]
与常用电子陶瓷薄膜技术相比, MOCVD技术具有薄膜化学成分、结晶结构和氧化程度易控制,沉积温度低,沉积速率高,薄膜的致密性、均匀性和台阶覆盖性好,可理想生长多组元和多层结构的功能金属氧化物薄膜,能直接由实验室转入规模生产及与硅的大规模集成工艺兼容等优点。应用自制设备及MOCVD技术,分别在高掺杂硅片和有透明导电膜玻璃的基片上生长了TiO2薄膜。测得的1 mm Au圆点/TiO2薄膜/p+-Si衬底样品的I-V和C-V特性,清楚地给出了MIS结构的行为。淀积在透明导电膜玻璃上的TiO2薄膜有电致变色现象。
[英文摘要]
With MOCVD film technology, film chemical composition is easier to control, deposition temperature lower, deposition speed higher, deposited film more compact, homogenous and flat as compared with typical ceramic film formation technology. Some TiO2 thin films grew, with MOCVD system made in our laboratory, on high doped (100) Si wafer and on conductive-film-coated glass respectively. The measured I-V and C-V characteristics clearly show MIS structure behavior of the samples of 1 mm Au dot/TiO2 film/p+-Si. Those films deposited on conductive-film-coated glass have electrochromic phenomena.(11 refs.)
[关键词]
MOCVD TiO2薄膜 薄膜技术 电子陶瓷
[作者]
孙顺明
[作者单位]
(西安交通大学电子与工程信息学院 西安 710049)
[刊名]
电子元件与材料
[英文刊名]
ELECTRONIC COMPONENTS&MATERIALS
[期刊类别]
无线电电子学与电信技术
[年 卷 期]
1999   18   1

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