157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵 |
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| [摘要] |
| 通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率达157W。 |
| [英文摘要] |
| [关键词] |
| 激光二极管，列阵，准连续 |
| [作者] |
| 方高瞻 肖建伟 马骁 谭满清 刘宗顺 刘素平 胡长虹 鲁琳 李秀芳 王梅 |
| [作者单位] |
| 中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083;中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083; |
| [刊名] |
| 半导体学报 |
| [英文刊名] |
| CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS |
| [期刊类别] |
| 无线电电子学与电信技术 |
| [年 卷 期] |
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2000 21 01 点击免费下载论文：157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵 |