半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应 |
|
| [摘要] |
| 设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAs MESFETs器件。研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大。 |
| [英文摘要] |
| [关键词] |
| MESFET，背栅效应，GaAs |
| [作者] |
| 刘汝萍 夏冠群 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 |
| [作者单位] |
| 中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050; |
| [刊名] |
| 半导体学报 |
| [英文刊名] |
| CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS |
| [期刊类别] |
| 无线电电子学与电信技术 |
| [年 卷 期] |
|
2000 21 01 点击免费下载论文：半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应 |