高温Al0.3Gao.22In0.48P/GaAs HBT电流增益的计算分析 |
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| [摘要] |
| 建立了Al0.3Ga0 22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟。随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的；而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10％.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响，模拟结果较为符合实际情况，可为研制高性能HBT器件所需材料提供参考依据。 |
| [英文摘要] |
| [关键词] |
| 电流增益，HBT，AlGaInP/GaAs，高温 |
| [作者] |
| 吴杰 夏冠群 束为民 顾伟东 张兴宏 |
| [作者单位] |
| 中国科学院上海冶金研究所 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所 上海 200050;中国科学院上海冶金研究所 上海 200050; |
| [刊名] |
| 半导体学报 |
| [英文刊名] |
| CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS |
| [期刊类别] |
| 无线电电子学与电信技术 |
| [年 卷 期] |
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2000 21 01 点击免费下载论文：高温Al0.3Gao.22In0.48P/GaAs HBT电流增益的计算分析 |