Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应 |
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| [摘要] |
| 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K，另一块样品的淬灭温度接近290K。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响。 |
| [英文摘要] |
| [关键词] |
| 光电导，超晶格，ZnSe |
| [作者] |
| 胡古今 张雷 戴宁 陈良尧 |
| [作者单位] |
| 复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433;复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433;复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433;复旦大学物理系半导体物理实验室 上海 200433; |
| [刊名] |
| 半导体学报 |
| [英文刊名] |
| CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS |
| [期刊类别] |
| 无线电电子学与电信技术 |
| [年 卷 期] |
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2000 21 01 点击免费下载论文：Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应 |